美光已交付 HBM3E 内存样品：可达 1.2 TB / s 速度，成本比友商低

9 月 28 日消息，SK 海力士的 HBM3E 内存迎来新竞争对手--美光。美光科技表示新款 HBM3E 同样可以达到 1.2 TB / s 的速度，而且已经向英伟达等客户交付样品，预估明年会有订单入账。

美光的 HBM3E 内存采用 eight-tier 布局，每个堆栈为 24 GB，采用 1β 技术生产，具备出色的性能。

美光表示旗下的 HBM3E 内存在提供和友商相同级别的性能之外，其成本会比其它友商更低。美光表示明年开始商业出货，目前正在寻求这些产品的认证，以满足英伟达的要求。

注：HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展（Extended）版本。